نیمه هادی ها مواد مهمی ازگروه جامدات هستند که اکنون کاربردهای زیادی در حوزه های تحقیقاتی پید اکرده اند، این مواد در ساخت قطعات الکترونیکی، سلول های خورشیدی، لیزرهای نیمه هادی، دیودهای نوری و سایر موارد به کار می روند.

یکی از ویژگی های مهم نیمه هادی ها، تغییر خواص الکتریکی آنها از جمله تعداد و نوع حامل های جریان و تحرک آنها با افزودن ناخالصی ها است که بر حسب نوع حامل موجود (الکترون یا حفره) به دو نوع n و p تقسیم می شود. نوع نیمه هادی و همچنین خواص در پیوندگاه p-n باعث استفاده گسترده از نیمه هادی ها می شود. لذا امروزه بررسی این نیمه هادی ها، محل پیوندگاه و به خصوص میزان تغییرات مقاومت موضعی در این نواحی که تأثیر بسزایی در طراحی و ساخت قطعات الکترونیکی دارند، حایز اهمیت است.

پیشرفت فزاینده نانوفناوری در صنایع الکترونیک، باعث توسعه فناوری نیمه رساناها و انجام تحقیقات گسترده روی آنها شده است. امروزه کاهش ابعاد قطعات الکترونیکی به منظور کوچک کردن مدارات مجتمع بسیار مورد توجه است. برای ساخت و بررسی عملکرد آنها به تجهیزاتی با توان تفکیکی در محدوده نانومتر نیاز است. امروزه میکروسکوپ مقاومت گسترده روبشی به عنوان یکی از ابزارهای مناسب، در این بررسی ها مورد توجه و استفاده قرار گرفته است.

در مقاله فوق با توجه به اهمیت این میکروسکوپ، در ابتدا به معرفی آن و در ادامه به بررسی برخی از کاربردها و توانایی های میکروسکوپ مقاومت گسترده روبشی موضعی در اندازه گیری کمی و کیفی مقاومت موضعی در محدوده نانومتر پرداخته شده است. همچنین مقایسه برتری این روش میکروسکوپی در مقایسه با روش های شبیه سازی قطعات الکترونیکی و در نهایت به تأثیر کاهش شعاع پروب در افزایش توان تفکیک انجام شده است.